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发布时间:2013-09-16 17:00:13 发布作者: 标签: 优博ukashout

以《国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要》和《工业转型升级十二五规划》为统领,从服务国民经济和社会发展全局出发,结合产业自身规律和实际需求,贯彻落实科学发展观,《规划》确立了以转方式、调结构为主线的发展思路,坚持应用牵引、创新驱动、协调推进、引领发展的基本原则。2011年,大陆的MOCVD总数达到720台,按目前各公司调整后的设备引进计划,预计2012年MOCVD的安装量将维持在300台左右的水准。2011年,大陆企业芯片营收增长30%,达到65亿元,但远远不及MOCVD设备106%的增速,这也反映出大陆芯片产能未能充分发挥,2012年外延芯片价格压力仍将持续。

日本东北大学研究生院研究科应用物理学专业梶谷刚教授的研究小组公开了一款多层型热电元件的试制品。该试制品由锰硅类材料制成的热电材料片材层叠而成(图1)。已在东北大学产学协作推进本部于2012年3月15日在东京都千代田区举行的东北大学革新展上展出。梶谷教授的研究小组正在与日本东北陶瓷(宫城县亘理町)等三家公司共同开发由锰硅类热电材料片材层叠而成的多层型元件。此次的展示品的P型半导体采用的是MnSi(锰硅类)材料,N型半导体采用的是Mn1-xFexSiy(锰铁硅类)材料。具体的制造工序如下:分别调整N型和P型热电材料的成分,并将其煅烧作为原材料,将原材料粉碎后利用通常的刮板法(DoctorBladeMethod)进行片状成型处理。然后在片材上用丝网印刷法涂覆绝缘膏,并反复将N型半导体和P型半导体以及绝缘膏交替层叠。绝缘膏不涂布在片材上的高温侧和低温侧的端部,而是通过丝网印刷让N型与P型形成结合在一起的状态。这样,N型半导体和P型半导体就形成了串联排列的压电元件。对片材的层叠品进行压制后,在生坯状态下,按照所需尺寸的元件形状,沿垂直于层叠面的方向将其切断。然后进行烧结,在形成高温侧和低温侧的端部形成电极,并用玻璃密封材料在外侧进行绝缘处理,最终便可形成热电元件。此次的试制品中,N型半导体和P型半导体的片材厚度都为150m,一对N型和P型片材的厚度约为300m。绝缘层的厚度为15m。此次通过层叠30对N型和P型半导体,试制出了10mm见方、厚5mm等多个规格的层叠元件,并进行了性能评测。据介绍,此次的锰铁硅类材料制造的热电元件可在室温到850K的温度范围内使用。锰硅锶类的热电材料制成的热电元件可在室温到750K的温度范围内使用。此前的热电元件一直采用由大量P型与N型半导体的长方体交替排列的形式。东北陶瓷解释称,这种配置的封装密度低,容易导致高成本。另外,原来普遍采用Bi-Te(铋碲)类材料,而锰硅类材料资源丰富,因此此次的技术还极有望降低材料成本。GTAT宣布,该公司的韩国客户OCICompany,Ltd.的新制造工厂已经开始生产蓝宝石晶锭和晶棒。OCI公司是GT光伏产品的长期客户,现在也是GT的蓝宝石设备客户。该公司于2011年1月购买了GT的ASF蓝宝石长晶炉,并已完成初始安装。3月2日,在新蓝宝石生产工2011年我国LED产业产值达1540亿元,同比增长22%,产量同比增长50%。预计2012年在照明产品的带动下,行业产值有望达到2000亿元,同比增长30%。而在未来,LED似乎也有着不错的前景。在2011年年底的一场专业论坛上,科学技术部官员透露:十二五LED节能规划的国家目标:到2015年,LED产业化光效流明要达到150流明/瓦,研发水平达到200流明/瓦,寿命达到5万小时,市场规模达到5000亿元。台湾LED芯片龙头厂商晶电董事长李秉杰日前预期,2012年还算是辛苦的一年,主要是因为照明对LED产能具有影响力的规模经济,要等到2013年才可见到。他认为,2012年将是产业淘汰竞争关键的一年。郑重声明:中国电子材料网发布此信息目的在于传播更多信息,与本网站立场无关。中国电子材料网不保证该信息(包括但不限于文字、数据及图表)全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关信息并未经过本网站证实,不对您构成任何投资建议,据此操作,风险自担。

柴敬玉:光伏电站的输出功率依赖于光伏组件接收到的辐射量,会随天气与季节的变化而波动。因为电网调度系统对于发电量和负载量的波动都有一定调节能力,所以光伏发电输出功率的不稳定性,在一定程度上可以被电网吸收。现阶段相对于传统电力的规模,我国光伏电站发电量还很小,但在集中型光伏电站装机容量越来越大、数目越来越多的发展趋势下,电网对于波动的吸收能力将受到考验。同时,集中型光伏电站相对远离用电负荷中心,会导致输电成本的增加。GTAT公司的客户95%都在亚洲地区,中国大陆及台湾地区、韩国企业是其最主要的客户。GTAT的目标是为客户提供一个低成本的、长远的、稳定的、可靠的解决方案。奇美电子因应面板景气低迷,去年二度调降资本支出,由最初的1,000亿元新台币,降为最终版的500亿元新台币。市场推估,今年资本支出会比去年腰斩,降至250亿元新台币以下。国内需求的高速增长吸引了光伏组件制造商积极投入,参与电站项目的投标或者自行开发电站,作为组件销售新的增长点。领先的逆变器厂商更是受益于国内光伏安装量的增长,其中阳光电源以较大的优势占据国内第一名的位置,排名其后的是艾默生和南京冠亚。国有电力集团是2011年中国光伏项目开发的主力军。中电投、中节能、国电集团、中广核和大唐集团占据2011年十大项目开发商中的前五名,同时还都拥有着GW级以上的项目储备量。值得一提的是,民营企业正泰集团和力诺集团在2011年都加强了光伏项目开发,双双跻身前十名。由于国有电力集团在光伏项目开发中的活跃表现,电力项目以56%的市场份额成为2011年中国最重要的细分市场,超过排名第二的商业开发项目13个百分点。NPDSolarbuzz高级分析师廉锐说到,然而,在项目储备方面,商业开发项目则以57%的比例位居第一,表明越来越多的民营企业甚至外资企业希望进入中国下游市场。许多光伏制造企业已经制订了宏伟的计划,准备2012年在国内自主或合作开发数百兆瓦的项目。在目前欧洲市场面临政策变化挑战的环境下,只要中央和地方政府管理部门能够保持对光伏项目开发的支持政策,2012年的国内市场必将大有可为。彩虹液晶玻璃基板新产线自去年9月底点火后,进展曾持续低于市场预期。公司由于进行了生产线的改造,良品率迟迟未能达到设计标准。正是由于新线生产的进度低于预期,导致后续产品认证、批量供货等都不断推后,但随着时间的推移,这种情况将逐步得到改善。目前公司咸阳生产基地的第一条液晶玻璃基板生产线已经在较高良品率下成功运转了一年。光伏行业经营环境的巨变也导致产业链上相关企业业绩不同程度下滑,尚德电力去年净亏损额高达10亿美元。公开资料显示,天龙光电(300029)2012年一季度业绩预告称公司的净利润为亏损1000万~1500万元,而去年同期为盈利3332万元。美国电子制造业能耗量与占工业能耗比重在2002年之后出现拐点。其中,电子制造业能耗量从2002年的1343万吨标准煤下降到2009年的823万吨标准煤,占工业总能耗比重从2002年的1.65%下降到2009年的1.15%,能耗显著下降。日本电子制造业能耗已呈现逐年下降趋势,根据日本经济产业省资源能源厅统计,近几年日本电子制造业能耗年均下降10.3%,占工业比重处在2.7%左右的稳定状态。

三星决策者们考虑选点的诸多因素中,最重要的也许首先是从三星自身的产品结构和市场发展步伐来进行的。此次定点西安,具有将三星电子产品的自身优势和打造成中国式品牌、深耕中国市场、使其进入中国千家万户中每个消费者心里的更深层的发展用意。还不仅如此。据悉,除了触控面板相关产业公司陆续投入表面玻璃事业,连传统产业也有跨入表面玻璃领域者,例如上曜并购永辉光电、切入表面玻璃市场,目前产能估达50万片/月。唐国庆认为,LED进入照明应用领域将会带来根本性的变化,LED将会成为真正意义上的绿色照明和智慧照明,甚至可以与时下流行的云技术结合成为云照明。云照明的主要特点在于智慧,在LED照明的协助下可实现智慧办公、智慧家庭等先进技术。传统的照明器件、灯具、模组都无法实现智慧照明,比如无法对光照角度、色彩都实现智能控制,而LED灯具可以填补这些空缺,这也是LED的智慧体现。图1:TFT液晶面板的供需平衡(按面积计算)出处:DisplaySearch政府为产业把脉决定未来走向十一五期间,集成电路产业规模翻了一番。产量和销售收入分别从2005年的265.8亿块和702亿元,提高到2010年的652.5亿块和1440亿元,占全球集成电路市场比重从2005年的4.5%提高到2010年的8.6%。国内市场规模从2005年的3800亿元扩大到2010年的7350亿元,占全球集成电路市场份额的43.8%。美国第一次对中国清洁能源产品发起双反调查,最新结果,中国之声持续关注。据国外媒体报道,研究机构Gartner公布最新研究报告,2012年全球半导体营收预期可达3160亿美元,较2011年增加4%。Gartner研究副总裁BryanLewis表示,总体经济情势趋于稳定,半导体产业景气可望于2012年第二季度开始回温,库存修正预期可于第一季度完成,镜片

以《国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要》和《工业转型升级十二五规划》为统领,从服务国民经济和社会发展全局出发,结合产业自身规律和实际需求,贯彻落实科学发展观,《规划》确立了以转方式、调结构为主线的发展思路,坚持应用牵引、创新驱动、协调推进、引领发展的基本原则。2011年,大陆的MOCVD总数达到720台,按目前各公司调整后的设备引进计划,预计2012年MOCVD的安装量将维持在300台左右的水准。2011年,大陆企业芯片营收增长30%,达到65亿元,但远远不及MOCVD设备106%的增速,这也反映出大陆芯片产能未能充分发挥,2012年外延芯片价格压力仍将持续。

日本东北大学研究生院研究科应用物理学专业梶谷刚教授的研究小组公开了一款多层型热电元件的试制品。该试制品由锰硅类材料制成的热电材料片材层叠而成(图1)。已在东北大学产学协作推进本部于2012年3月15日在东京都千代田区举行的东北大学革新展上展出。梶谷教授的研究小组正在与日本东北陶瓷(宫城县亘理町)等三家公司共同开发由锰硅类热电材料片材层叠而成的多层型元件。此次的展示品的P型半导体采用的是MnSi(锰硅类)材料,N型半导体采用的是Mn1-xFexSiy(锰铁硅类)材料。具体的制造工序如下:分别调整N型和P型热电材料的成分,并将其煅烧作为原材料,将原材料粉碎后利用通常的刮板法(DoctorBladeMethod)进行片状成型处理。然后在片材上用丝网印刷法涂覆绝缘膏,并反复将N型半导体和P型半导体以及绝缘膏交替层叠。绝缘膏不涂布在片材上的高温侧和低温侧的端部,而是通过丝网印刷让N型与P型形成结合在一起的状态。这样,N型半导体和P型半导体就形成了串联排列的压电元件。对片材的层叠品进行压制后,在生坯状态下,按照所需尺寸的元件形状,沿垂直于层叠面的方向将其切断。然后进行烧结,在形成高温侧和低温侧的端部形成电极,并用玻璃密封材料在外侧进行绝缘处理,最终便可形成热电元件。此次的试制品中,N型半导体和P型半导体的片材厚度都为150m,一对N型和P型片材的厚度约为300m。绝缘层的厚度为15m。此次通过层叠30对N型和P型半导体,试制出了10mm见方、厚5mm等多个规格的层叠元件,并进行了性能评测。据介绍,此次的锰铁硅类材料制造的热电元件可在室温到850K的温度范围内使用。锰硅锶类的热电材料制成的热电元件可在室温到750K的温度范围内使用。此前的热电元件一直采用由大量P型与N型半导体的长方体交替排列的形式。东北陶瓷解释称,这种配置的封装密度低,容易导致高成本。另外,原来普遍采用Bi-Te(铋碲)类材料,而锰硅类材料资源丰富,因此此次的技术还极有望降低材料成本。GTAT宣布,该公司的韩国客户OCICompany,Ltd.的新制造工厂已经开始生产蓝宝石晶锭和晶棒。OCI公司是GT光伏产品的长期客户,现在也是GT的蓝宝石设备客户。该公司于2011年1月购买了GT的ASF蓝宝石长晶炉,并已完成初始安装。3月2日,在新蓝宝石生产工2011年我国LED产业产值达1540亿元,同比增长22%,产量同比增长50%。预计2012年在照明产品的带动下,行业产值有望达到2000亿元,同比增长30%。而在未来,LED似乎也有着不错的前景。在2011年年底的一场专业论坛上,科学技术部官员透露:十二五LED节能规划的国家目标:到2015年,LED产业化光效流明要达到150流明/瓦,研发水平达到200流明/瓦,寿命达到5万小时,市场规模达到5000亿元。台湾LED芯片龙头厂商晶电董事长李秉杰日前预期,2012年还算是辛苦的一年,主要是因为照明对LED产能具有影响力的规模经济,要等到2013年才可见到。他认为,2012年将是产业淘汰竞争关键的一年。郑重声明:中国电子材料网发布此信息目的在于传播更多信息,与本网站立场无关。中国电子材料网不保证该信息(包括但不限于文字、数据及图表)全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关信息并未经过本网站证实,不对您构成任何投资建议,据此操作,风险自担。

柴敬玉:光伏电站的输出功率依赖于光伏组件接收到的辐射量,会随天气与季节的变化而波动。因为电网调度系统对于发电量和负载量的波动都有一定调节能力,所以光伏发电输出功率的不稳定性,在一定程度上可以被电网吸收。现阶段相对于传统电力的规模,我国光伏电站发电量还很小,但在集中型光伏电站装机容量越来越大、数目越来越多的发展趋势下,电网对于波动的吸收能力将受到考验。同时,集中型光伏电站相对远离用电负荷中心,会导致输电成本的增加。GTAT公司的客户95%都在亚洲地区,中国大陆及台湾地区、韩国企业是其最主要的客户。GTAT的目标是为客户提供一个低成本的、长远的、稳定的、可靠的解决方案。奇美电子因应面板景气低迷,去年二度调降资本支出,由最初的1,000亿元新台币,降为最终版的500亿元新台币。市场推估,今年资本支出会比去年腰斩,降至250亿元新台币以下。国内需求的高速增长吸引了光伏组件制造商积极投入,参与电站项目的投标或者自行开发电站,作为组件销售新的增长点。领先的逆变器厂商更是受益于国内光伏安装量的增长,其中阳光电源以较大的优势占据国内第一名的位置,排名其后的是艾默生和南京冠亚。国有电力集团是2011年中国光伏项目开发的主力军。中电投、中节能、国电集团、中广核和大唐集团占据2011年十大项目开发商中的前五名,同时还都拥有着GW级以上的项目储备量。值得一提的是,民营企业正泰集团和力诺集团在2011年都加强了光伏项目开发,双双跻身前十名。由于国有电力集团在光伏项目开发中的活跃表现,电力项目以56%的市场份额成为2011年中国最重要的细分市场,超过排名第二的商业开发项目13个百分点。NPDSolarbuzz高级分析师廉锐说到,然而,在项目储备方面,商业开发项目则以57%的比例位居第一,表明越来越多的民营企业甚至外资企业希望进入中国下游市场。许多光伏制造企业已经制订了宏伟的计划,准备2012年在国内自主或合作开发数百兆瓦的项目。在目前欧洲市场面临政策变化挑战的环境下,只要中央和地方政府管理部门能够保持对光伏项目开发的支持政策,2012年的国内市场必将大有可为。彩虹液晶玻璃基板新产线自去年9月底点火后,进展曾持续低于市场预期。公司由于进行了生产线的改造,良品率迟迟未能达到设计标准。正是由于新线生产的进度低于预期,导致后续产品认证、批量供货等都不断推后,但随着时间的推移,这种情况将逐步得到改善。目前公司咸阳生产基地的第一条液晶玻璃基板生产线已经在较高良品率下成功运转了一年。光伏行业经营环境的巨变也导致产业链上相关企业业绩不同程度下滑,尚德电力去年净亏损额高达10亿美元。公开资料显示,天龙光电(300029)2012年一季度业绩预告称公司的净利润为亏损1000万~1500万元,而去年同期为盈利3332万元。美国电子制造业能耗量与占工业能耗比重在2002年之后出现拐点。其中,电子制造业能耗量从2002年的1343万吨标准煤下降到2009年的823万吨标准煤,占工业总能耗比重从2002年的1.65%下降到2009年的1.15%,能耗显著下降。日本电子制造业能耗已呈现逐年下降趋势,根据日本经济产业省资源能源厅统计,近几年日本电子制造业能耗年均下降10.3%,占工业比重处在2.7%左右的稳定状态。

三星决策者们考虑选点的诸多因素中,最重要的也许首先是从三星自身的产品结构和市场发展步伐来进行的。优博ukashout此次定点西安,具有将三星电子产品的自身优势和打造成中国式品牌、深耕中国市场、使其进入中国千家万户中每个消费者心里的更深层的发展用意。还不仅如此。据悉,除了触控面板相关产业公司陆续投入表面玻璃事业,连传统产业也有跨入表面玻璃领域者,例如上曜并购永辉光电、切入表面玻璃市场,目前产能估达50万片/月。唐国庆认为,LED进入照明应用领域将会带来根本性的变化,LED将会成为真正意义上的绿色照明和智慧照明,甚至可以与时下流行的云技术结合成为云照明。云照明的主要特点在于智慧,在LED照明的协助下可实现智慧办公、智慧家庭等先进技术。传统的照明器件、灯具、模组都无法实现智慧照明,比如无法对光照角度、色彩都实现智能控制,而LED灯具可以填补这些空缺,这也是LED的智慧体现。图1:TFT液晶面板的供需平衡(按面积计算)出处:DisplaySearch政府为产业把脉决定未来走向十一五期间,集成电路产业规模翻了一番。产量和销售收入分别从2005年的265.8亿块和702亿元,提高到2010年的652.5亿块和1440亿元,占全球集成电路市场比重从2005年的4.5%提高到2010年的8.6%。国内市场规模从2005年的3800亿元扩大到2010年的7350亿元,占全球集成电路市场份额的43.8%。现金棋牌游戏美国第一次对中国清洁能源产品发起双反调查,最新结果,中国之声持续关注。据国外媒体报道,研究机构Gartner公布最新研究报告,2012年全球半导体营收预期可达3160亿美元,较2011年增加4%。Gartner研究副总裁BryanLewis表示,总体经济情势趋于稳定,半导体产业景气可望于2012年第二季度开始回温,库存修正预期可于第一季度完成,镜片

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